和其他的光刻机比较，这个光刻机足足有180吨重，巨细和一辆双层巴士差不多，就连零部件都高达25万个。

　　和其他的光刻机比较，High-NAEUV的中心打破在于“高数值孔径”，简略来说，数值孔径越大，光刻机的“视力”就越好，能把电路图画刻得更精密。

　　平常的EUV光刻机数知孔径最大也不过只要0.33，而这一款足足有0.55，提高了大约一倍。

　　但你可不要小瞧它，就这么零点几的距离，就能让这款光刻机雕琢3nm乃至是2nm以下的芯片。

　　就比方曾经需求屡次曝光才干完结的杂乱图画，现在一次就能搞定，不只出产功率翻倍，芯片的功能和良率也大幅提高。

　　这个中缘由，想必我们都知道，究竟美国早就对我国施行技能封闭，就连荷兰也在美国的施压下制止对华出口光刻机。

　　看到这儿想必有许多人会悲观，究竟年代都在前进，你看现如今其他几个国家都做的这么好，我国怎样就迟迟没有音讯呢？

　　央视选在这时高调展现它，意图可深了——既清醒供认距离，也在为国产代替吹响号角。

　　前期我国在这方面基础薄弱，首要依靠进口设备，许多关键技能和零部件都把握在外国公司手里。

　　另一边，哈工大的团队在2025年搞出了个特别牛的光源技能，叫“激光诱导放电等离子体光源”。

　　这玩意儿长处可多了：能量转化功率贼高、本钱还降下来了、能安稳输出13.5纳米波长的光，这就从另一方面代表着它能满意出产7纳米芯片的要求！

　　南大光电成功开宣布ArF、KrF等系列光刻胶产品，并完成规模化出产，这为光刻机的使用供给了有力支撑。

　　还有，在光刻机的机械结构、操控办理体系等方面，我国科研人员也进行了改善和立异。

　　比方引进人工智能技能和大数据分析，创建了智能化的光刻机操控办理体系，提高了光刻机的功能和出产功率。

　　归纳来看，我们国家在光刻机这块儿的确往前迈了不少步，但跟国际上最牛的那几家比，距离仍是明摆着的。

　　比方现在最顶级的那个High-NAEUV极紫外光刻机，我们现在的确还造不出来。不过呢，别管外头怎样说、怎样看，我们自己在这条路上获得的前进，那可都是实打实的，一点不假。

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